第三十条 有下列行为之一的，处五日以上十日以下拘留或者一千元以下罚款；情节较重的，处十日以上十五日以下拘留，可以并处二千元以下罚款：
然而，本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM（高带宽内存）的爆发式增长。AI芯片（如英伟达H200/B200）对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM，挤占了原本用于生产手机LPDDR（低功耗内存）的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。
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Фото: Максим Блинов / РИА Новости
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